Мова йде про 8-гігабітних чіпах DRAM другого покоління, які розробляються з використанням 10-нм технологічного процесу.

Порівняно з попередниками, нові чіпи опинилися на 15% більш енергоефективними, а їх продуктивність зросла на 10%. Їх швидкість досягає 3600 Мбіт/с, в той час, як максимальна швидкість попередників становила 3200 Мбіт/с.

У чіпах DRAM другого покоління використовується нещодавно розроблена корейцями система, що дозволяє більш точно визначати дані, що зберігаються в кожній клітинці дані. А унікальна повітряна прокладка різко знижує паразитне ємність, забезпечуючи більш високий рівень масштабування та ефективність роботи кожної клітинки.

Нові чіпи Samsung мають компактні габарити серед 8-гігабітних аналогів. Вони будуть використовуватися в мобільних телефонах, графічних картах і хмарних обчислювальних центрах.