За даними @UniverseIce, Samsung почне масове виробництво оперативної пам'яті LPDDR5 і флеш-пам'яті UFS 3.0 NAND у другій половині цього року. Ці два компоненти можуть спочатку з'явитися в Galaxy S10.

Кажуть, що UFS 3.0 має вдвічі більшу пропускну здатність, ніж UFS 2.1 зі швидкістю до 23,2 Гбіт/с (одиночна смуга = 11,6 Гбіт/с). Вона також споживає менше енергії і має розширений температурний діапазон для використання в автомобільній промисловості. Для LPDDR5 ми очікуємо 10-процентне збільшення продуктивності і 15-відсоткове збільшення енергоефективності.

Samsung will mass-produce LPDDR5 and UFS3.0 chips in the second half of the year, and I look forward to the Galaxy S10.

— Ice universe (@UniverseIce)

Існують і інші функції, які, за чутками, з'являться в Galaxy S10, серед яких вбудований сканер відбитків пальців і технологія 3D-сканування осіб. Крім цього, очікується, що наступний чіпсет Exynos 9820 запропонує вражаючу обчислювальну потужність, яка значно перевершить чіпсет Snapdragon 855 від Qualcomm.