IBM представила 19-Тбайт NVMe SSD з кеш-буфером з пам'яті MRAM

2018 07/08

Автор: Валерій Петрович

| Перегляди: 15

E-mail

До саміту Flash Memory Summit 2018 компанії IBM і Everspin підготували анонс цікавого продукту — лінійки серверних SSD FlashSystem з кеширующим буфером з пам'яті ST-MRAM (Spin-transfer Torque MRAM). Зазвичай подібний буфер виконується з пам'яті DRAM (у сучасній версії — з DDR3 або LPDDR4), який необхідно захищати від втрати даних в момент критичних збоїв живлення. Робиться це за допомогою навісних батарейок або суперконденсаторів. Заміна мікросхем буфера на енергонезалежну пам'ять спрощує процес захисту даних під час збою живлення. Інша справа, що для цього підходить далеко не кожна пам'ять. Наприклад, пам'ять NAND повільна і схильна до швидкого зносу. Частково проблема зносу вирішується за рахунок буфера з SLC NAND, але хотілося б чогось більш надійного.

AnandTech

Перспективною пам'яті для буферів запису SSD вважається магниторезистивная пам'ять і вона в недавньому минулому для цього вже використовувалася. Поки створити накопичувач виключно на пам'яті MRAM представляється невигідним — занадто мала щільність запису. Так, сьогодні пам'ять MRAM випускається у вигляді 256-Мбіт чіпів з техпроцесу 40 нм. До кінця року обіцяє початися вихід 22-нм мікросхем об'ємом 1 Гбіт, але і цієї ємності мало для виробництва SSD. Втім, у ряді випадків створення SSD на пам'яті MRAM вигідно і це робиться. В компанії IBM вирішили почати з малого і впровадили у виробництво лінійку SSD з буфером записи з 256-Мбіт мікросхем MRAM Everspin.

AnandTech

Зауважимо, що традиційно накопичувачі IBM FlashSystem мають унікальну конструкцію, яка також має, скажімо так, централізовану систему захисту від зникнення живлення. Нові накопичувачі в лінійці IBM FlashSystem виконані у вигляді SSD 2,5-дюймового формфактора U. 2 і захисту від збоїв живлення довелося вдаватися вже індивідуально. В компанії IBM вирішили проблему в корені — замінили буфер з DRAM на буфер з ST-MRAM. Основний масив пам'яті — це 64-слойні мікросхеми 3D NAND TLC. Представлені моделі накопичувачів об'ємом до 19,2 Тбайт. Інтерфейс — PCI Express 4.0 x4, який може працювати в режимі двох портів одночасно (2+2). Поставки новинок клієнтам компанія IBM розраховує розпочати протягом серпня. Іншої інформації про накопичувачах поки немає.